首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> cmos finfet

cmos finfet 文章 进入cmos finfet技术社区

TTL与CMOS,很基础但很多人不知道

  • 问题引入在工作中,会遇到OC门与OD门的称谓。而感性的认识一般为:OD门是采用MOS管搭建的电路,压(电压)控元器件。OC门是采用晶体管搭建的电路,流(电流)控元器件。而OD门的功率损耗一般是小于OC门,为什么?电平TTL电平:输出电平:高电平Uoh >=2.4v 低电平Uol <= 0.4v输入电平:高电平Uih >= 2.0v 低电平 Uil <= 0.8vCMOS电平:输出电平:高电平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND输入电平:高电平Uih >= 0.7*VCC U
  • 关键字: TTL电路  CMOS  

CMOS传感器+高级色彩算法,快准稳捕获色彩

  • 用机器视觉代替人眼来判别颜色之间的差异,实现在线检测,大大提高了检测效率,同时对产品进行全检,检测结果更为客观、更准确。无论是分捡水果和蔬菜还是检查运动鞋,在保证可靠性的前提下高速捕获准确的色彩和丰富的细节都要求相机具备某些特征。那么,相机厂商该如何应对这些需求提出的挑战呢?Blackfly S和Oryx将新的CMOS传感器及高级色彩算法完美结合,并具备:色彩校正矩阵,用于实现在任一照明条件下的精确色彩再现;高质量图像,卓越的灵敏度和动态范围,能够较大限度提升图像对比度;灵活多变的自定义触发设置,准确触发
  • 关键字: 传感器  色彩  CMOS  

CMOS传感器+高级色彩算法,快准稳捕获一致色彩

  • 用机器视觉代替人眼来判别颜色之间的差异,实现在线检测,大大提高了检测效率,同时对产品进行全检,检测结果更为客观、更准确。问:无论是分捡水果和蔬菜还是检查运动鞋,在保证可靠性的前提下高速捕获准确的色彩和丰富的细节都要求相机具备某些特征。那么,相机厂商该如何应对这些需求提出的挑战呢?答:Blackfly S和Oryx将新的CMOS传感器及高级色彩算法完美结合,并具备:• 色彩校正矩阵,用于实现在任一照明条件下的精确色彩再现• 高质量图像,卓越的灵敏度和动态范围,能够较大限度提升图像对比度•
  • 关键字: CMOS  传感器  色彩算法  

Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片

  • 这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet(FF)技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积,为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快产品上市进程、提供同类最佳性能、及确保稳健的产品设计,坚定客户对Dolphin Design产品的信心,再度证实了Dolphin Design在混合信号IP领域的行业领先地位。2024年2月22日,法国格勒诺布尔——高性能模拟、混合信号、处理知识产权(IP)以及ASIC设计的行业领先供应商Dolphin De
  • 关键字: Dolphin Design  12纳米  12nm  FinFet  成功流片  

CMOS 2.0 革命

  • 受到威胁的不是摩尔定律本身,而是它所代表的促进经济增长、科学进步和可持续创新的能力。
  • 关键字: CMOS  

晶体管进入纳米片时代

  • 3D 芯片堆叠对于补充晶体管的发展路线图至关重要。
  • 关键字: FinFET  

台积电熊本新厂建筑工程上个月末已完成

  • 1月8日消息,据报道,日本熊本放送消息,台积电日本熊本新厂建筑工程在上个月末已完成,预定年内投产,目前处于设备移入进机阶段。另外,该厂开幕式预计在2月24日举行。公开资料显示,台积电日本子公司主要股东包括持股71%的台积电、持股近20%的索尼,以及持股约10%的日本电装(DENSO),熊本第一工厂计划生产12/16nm和22/28nm这类成熟制程的半导体,初期多数产能为索尼代工 CMOS 图像传感器中采用的数字图像处理器(ISP),其余则为电装代工车用电子微控制器 MCU,电装可取得约每月1万片产能。台积
  • 关键字: 台积电  索尼  日本电装  CMOS  ISP  MCU  

CIS 产能诱惑再起

  • 移动互联时代,在电子半导体产业周期由谷底向上走阶段,有 3~4 类芯片会冲在前面,呈现出明显的增长势头,存储器是典型代表,还有一种芯片也很抢眼,那就是 CIS(CMOS 图像传感器),它在 2019~2020 年那一波产业高速增长过程中就扮演了重要角色。如今,2024 年半导体业即将复苏,CIS 再一次冲在了前面。CIS 有三大应用领域:手机、安防和汽车。当然,CIS 在工业和其它消费类电子产品上也有应用。近日,全球 CIS 市场排名第二的三星电子发出通知,将大幅调升 2024 年第一季度 CIS 产品的
  • 关键字: CMOS  图像传感器  

英特尔展示 3D 堆叠 CMOS 晶体管技术:在 60nm 栅距下实现 CFET

  • IT之家 12 月 10 日消息,由于当下摩尔定律放缓,堆叠晶体管概念重获关注,IMEC (比利时微电子研究中心)于 2018 年提出了堆叠互补晶体管的微缩版 CFET 技术(IT之家注:即垂直堆叠互补场效应晶体管技术,业界认为 CFET 将取代全栅极 GAA 晶体管技术),英特尔和台积电也都进行了跟进。在今年的 IEEE 国际电子器件会议(IEDM 2023)上,英特尔展示了多项技术突破,并强调了摩尔定律的延续和演变。首先,英特尔展示了其中 3D 堆叠 CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管方面取得的突
  • 关键字: 英特尔  CMOS  

下一代CMOS逻辑,迈入1nm时代

  • 3D 亚纳米时代,CMOS 逻辑电路如何发展?
  • 关键字: CMOS  

Teledyne e2v 发布新一代高性能全局快门 CMOS 图像传感器

  • Teledyne Technologies [NYSE: TDY] 子公司、全球成像解决方案革新者 Teledyne e2v 发布全新高水准 CMOS 图像传感器系列 Emerald™ Gen 2。新系列在 Teledyne e2v 先进成像技术的基础上又增强了性能,使之成为各种机器视觉应用、室外监控以及交通检测与监控相机的理想选择。 Emerald™ Gen2Emerald Gen2 的型号分为 8.9M像素(4,096 x 2,160)和 12M 像素(4,096 x 3,072)
  • 关键字: 成像技术  CMOS  图像传感器  机器视觉  

新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程

  • 摘要:●   全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造,提供开放、高效的射频设计解决方案。●   业界领先的电磁仿真工具将提升WiFi-7系统的性能和功耗效率。●   集成的设计流程提升了开发者的生产率,提高了仿真精度,并加快产品的上市时间。近日宣布,携手是德科技(Keysight)、Ansys共同推出面向台积公司业界领先N4PRF工艺(4纳米射频FinFET工艺)的全新参考流程。该参考流程基于新思科技的定制设计系列产品,为追求更高预测精度
  • 关键字: 新思科技  是德科技  Ansys  台积公司  4 纳米  射频  FinFET  射频芯片设计  

索尼唯一正增长,今年上半年全球手机 CIS 传感器出货量 20 亿:同比下降 14%

  • IT之家 10 月 26 日消息,根据市场调查机构 Counterpoint Research 公布的最新调查报告,受到需求疲软、库存调整以及每部智能手机的摄像头数量减少等诸多因素,2023 年上半年全球智能手机 CMOS 图像传感器(CIS)出货量为 20 亿个,同比下降 14%。该机构研究分析师 Alicia Kong 表示:持续的通胀压力、充满挑战的宏观经济环境,影响了消费者信心,导致智能手机出货量低于预期。2023 年上半年,每部智能手机的平均摄像头数量也从 2022 年下半年
  • 关键字: 索尼  CMOS    

是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程

  • ●   新参考流程采用台积电 N4PRF 制程,提供了开放、高效的射频设计解决方案●   强大的电磁仿真工具可提升 WiFi-7 系统的性能和功率效率●   综合流程可提高设计效率,实现更准确的仿真,从而更快将产品推向市场是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程,助力RFIC半导体设计加速发展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布携手推出面向台积电 N4PRF 制程的新参考流程。N4P
  • 关键字: 是德科技  新思科技  Ansys  台积电  4nm射频  FinFET  
共1064条 1/71 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

cmos finfet介绍

您好,目前还没有人创建词条cmos finfet!
欢迎您创建该词条,阐述对cmos finfet的理解,并与今后在此搜索cmos finfet的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473